Các vùng bên trong: (được bảo vệ chống lại sét đánh trực tiếp)

LPZ 1

Vùng mà dòng đột biến bị hạn chế bằng cách chia dòng và bằng các giao diện cách ly và/hoặc bằng thiết bị SPD ở đường biên. Màn chắn không gian có thể giảm trường điện từ sét;

LPZ 2...n

Vùng mà dòng đột biến có thể được tiếp tục hạn chế bằng cách chia dòng và bằng các giao diện cách ly và/hoặc các thiết bị SPD bổ sung cho đường biên. Màn chắn không gian bổ sung có thể được sử dụng để tiếp tục giảm trường điện từ do sét.

Các LPZ được thực hiện bằng cách lắp đặt SPM, cụ thể là hệ thống lắp đặt SPD phối hợp và/hoặc màn chắn từ (xem Hình 2). Tùy thuộc vào số lượng, kiểu và mức chịu đựng của thiết bị cần bảo vệ, có thể xác định được các LPZ. Các vùng này có thể gồm các vùng nhỏ cục bộ (ví dụ như các vỏ bọc thiết bị) hoặc các vùng lớn tích hợp (ví dụ như toàn bộ kết cấu) (xem Hình B.2).

Việc kết nối các LPZ thuộc cùng một cấp có thể là cần thiết nếu hai kết cấu riêng biệt được nối với nhau bởi các đường dây điện hoặc đường dây tín hiệu, hoặc nếu số lượng các SPD cần thiết cần phải giảm xuống (xem Hình 3).

CHÚ THÍCH Hình 3a thể hiện hai LPZ 1 nối với nhau bằng các đường dây điện hoặc dây tín hiệu. Cần phải đặc biệt quan tâm nếu cả hai LPZ 1 này là hai kết cấu có hệ thống nối đất riêng rẽ, cách nhau hàng chục hoặc hàng trăm mét. Trong trường hợp này, một phần lớn dòng sét có thể chạy dọc theo các đường dây nối không được bảo vệ này.

...

...

...

I₁, I₂ Các dòng điện sét thành phần

Hình 3a - Kết nối hai LPZ 1 sử dụng SPD

CHÚ THÍCH Hình 3b cho thấy rằng vấn đề này có thể được giải quyết bằng cách sử dụng cáp được bảo vệ hoặc các đường ống cáp được bảo vệ để nối hai LPZ 1, với điều kiện là các màn chắn bảo vệ có khả năng dẫn dòng điện sét thành phần. SPD có thể được bỏ qua nếu điện áp rơi dọc theo màn chắn bảo vệ không quá cao.

CHÚ DẪN

I₁, I₂ Các dòng điện sét thành phần

Hình 3b - Kết nối hai LPZ 1 sử dụng cáp hoặc đường ống cáp được bảo vệ

CHÚ THÍCH Hình 3c thể hiện hai LPZ 2 được nối với nhau bằng các đường dây điện hoặc dây tín hiệu. Vì các dây này phải chịu mức đe dọa của LPZ 1 nên cần phải có các SPD ở đầu vào của mỗi LPZ 2.

Hình 3c - Kết nối hai LPZ 2 sử dụng SPD

...

...

...

Hình 3d - Nối hai LPZ 2 sử dụng các cáp hoặc đường ống cáp được bảo vệ

Hình 3 - Các ví dụ về kết nối LPZ

Việc mở rộng một LPZ vào một LPZ khác có thể là cần thiết trong các trường hợp đặc biệt hoặc có thể được sử dụng để giảm số lượng các SPD cần thiết (xem Hình 4).

Việc đánh giá cụ thể về môi trường điện từ trong 1 LPZ được mô tả trong Phụ lục A.

CHÚ THÍCH: Hình 4a thể hiện một kết cấu được cấp nguồn qua máy biến áp. Nếu máy biến áp đặt bên ngoài kết cấu thì chỉ cần bảo vệ đường dây điện hạ áp đi vào kết cấu, bằng cách sử dụng SPD.

Hình 4a - Máy biến áp bên ngoài kết cấu (bên trong LPZ 0)

CHÚ THÍCH: Nếu máy biến áp đặt bên trong kết cấu và không có SPD ở phía cao áp (vì người chủ sở hữu tòa nhà thường không được phép chọn các biện pháp bảo vệ phía cao áp) thì khi đó áp dụng Hình 4b. Hình 4b chỉ ra rằng vấn đề có thể được giải quyết bằng cách mở rộng LPZ 0 vào LPZ 1 và chỉ yêu cầu lắp đặt các SPD phía hạ áp.

Hình 4b - Máy biến áp bên trong kết cấu (LPZ 0 mở rộng vào LPZ 1)

...

...

...

CHÚ THÍCH: Hình 4c thể hiện một LPZ 2 được cung cấp bởi đường dây điện hoặc dây tín hiệu. Đường dây này cần hai SPD phối hợp: một ở biên của LPZ 0/1 và một ở biên của LPZ 1/2.

Hình 4c - Cần hai SPD phối hợp - SPD (giữa các vùng 0/1) và SPD (giữa các vùng 1/2)

CHÚ THÍCH: Hình 4d cho thấy rằng đường dây có thể đi ngay vào LPZ 2 và chỉ cần một SPD nếu LPZ 2 được mở rộng vào LPZ 1 bằng cách sử dụng các cáp hoặc đường ống cáp được bảo vệ. Tuy nhiên SPD này sẽ ngay lập tức giảm mối đe dọa xuống mức của LPZ 2.

Hình 4d - Chỉ cần một SPD - SPD (giữa các vùng 0/2) (LPZ 2 được mở rộng vào LPZ 1)

Hình 4 - Các ví dụ về việc mở rộng vùng bảo vệ chống sét

4.4. SPM cơ bản

Các biện pháp bảo vệ cơ bản chống LEMP bao gồm:

· Nối đất và liên kết (xem Điều 5)

...

...

...

Mạng liên kết làm giảm thiểu chênh lệch điện thế và có thể giảm trường từ.

· Màn chắn từ và định tuyến (xem Điều 6)

Màn chắn không gian làm giảm trường từ bên trong LPZ, sinh ra do sét đánh trực tiếp vào hoặc đánh gần kết cấu, và giảm các đột biến bên trong.

Việc bảo vệ các đường dây bên trong, sử dụng cáp hoặc đường ống cáp có bảo vệ, sẽ giảm thiểu các đột biến cảm ứng bên trong.

Việc định tuyến cho các đường dây bên trong có thể giảm thiểu các vòng cảm ứng và giảm các đột biến bên trong.

CHÚ THÍCH 1: Màn chắn không gian, bảo vệ và định tuyến cho các đường dây bên trong có thể sử dụng kết hợp hoặc riêng rẽ.

Việc bảo vệ các đường dây bên ngoài đi vào kết cấu làm giảm các đột biến dẫn vào các hệ thống bên trong.

· Hệ thống SPD phối hợp (xem Điều 7)

Hệ thống SPD phối hợp sẽ hạn chế ảnh hưởng của các đột biến bắt nguồn từ bên ngoài và các đột biến sinh ra ở bên trong.

...

...

...

Giao diện cách ly sẽ hạn chế các ảnh hưởng của đột biến dẫn trong các đường dây đi vào LPZ.

Việc nối đất và liên kết luôn luôn cần được đảm bảo, đặc biệt là liên kết của mỗi dịch vụ dẫn trực tiếp hoặc thông qua SPD liên kết đẳng thế, tại điểm đi vào kết cấu.

SPM khác có thể sử dụng độc lập hoặc kết hợp.

SPM phải chịu được các ứng suất vận hành dự kiến xảy ra tại nơi lắp đặt (ví dụ như các ứng suất do nhiệt độ, độ ẩm, khí quyển ăn mòn, rung, điện áp và dòng điện).

Việc lựa chọn SPM thích hợp nhất phải được thực hiện bằng cách sử dụng đánh giá rủi ro theo TCVN 9888-2 (IEC 62305-2), có tính đến các yếu tố kỹ thuật và kinh tế.

Thông tin thực tế về việc lắp đặt SPM cho các hệ thống bên trong các kết cấu có sẵn được cho trong Phụ lục B.

CHÚ THÍCH 2: Liên kết đẳng thế sét (EB) theo TCVN 9888-3 (IEC 62305-3) sẽ chỉ bảo vệ chống tia lửa điện nguy hiểm. Để bảo vệ các hệ thống bên trong chống đột biến cần có một hệ thống SPD phối hợp phù hợp với tiêu chuẩn này.

CHÚ THÍCH 3: Các thông tin chi tiết về thực hiện SPM có thể có trong TCVN 7447-4-44 (IEC 60364-4-44).

5. Nối đất và liên kết

...

...

...

Nối đất và liên kết thích hợp dựa trên một hệ thống nối đất hoàn chỉnh (xem Hình 5) kết hợp

- hệ thống đầu tiếp đất (phân tán dòng sét vào đất), và

- mạng liên kết (giảm thiểu chênh lệch điện thế và giảm trường từ).

CHÚ THÍCH: Tất cả các dây dẫn được vẽ đều là các phần tử kim loại kết cấu được liên kết hoặc là các dây liên kết. Một số các dây dẫn này cũng có thể làm nhiệm vụ thu, dẫn và phân tán dòng sét vào đất.

Hình 5 - Ví dụ về hệ thống nối đất 3 chiều gồm mạng liên kết được nối với hệ thống đầu tiếp đất

5.2. Hệ thống đầu tiếp đất

Hệ thống đầu tiếp đất của kết cấu phải phù hợp với TCVN 9888-3 (IEC 62305-3). Trong các kết cấu chỉ có hệ thống điện, cho phép sử dụng bố trí nối đất kiểu A nhưng ưu tiên sử dụng bố trí nối đất kiểu B. Trong kết cấu có hệ thống điện tử, khuyến cáo sử dụng bố trí nối đất kiểu B.

Điện cực đất vòng xung quanh kết cấu hoặc điện cực đất vòng trong bê tông ở đường bao của móng cần được tích hợp với mạng lưới bên dưới và xung quanh kết cấu, mắt lưới có chiều rộng thông thường là 5 m. Điều này cải thiện đáng kể đặc tính của hệ thống đầu tiếp đất. Nếu nền bê tông cốt thép của móng tạo thành mạng liên kết tốt và được nối với hệ thống đầu tiếp đất thường cứ cách nhau 5 m thì điều này cũng chấp nhận được. Ví dụ về hệ thống đầu tiếp đất dạng lưới của một nhà máy được được cho trong Hình 6.

...

...

...

CHÚ DẪN

1 tòa nhà với mạng lưới của bê tông cốt thép

2 tháp ở bên trong nhà máy

3 thiết bị đứng độc lập

4 máng cáp

Hình 6 - Hệ thống đầu tiếp đất dạng lưới của nhà máy

Để giảm chênh lệch điện thế giữa hai hệ thống bên trong, có thể cần thiết trong một số trường hợp đặc biệt để cách ly các hệ thống nối đất, có thể áp dụng các phương pháp dưới đây:

- một số dây liên kết song song chạy trong cùng một tuyến với các cáp điện, hoặc cáp được chạy trong các đường ống bê tông cốt thép (hoặc các đường ống kim loại được liên kết liên tục), mà đã được tích hợp vào cả hai hệ thống đầu tiếp đất;

- cáp được bảo vệ bằng màn chắn có tiết diện đủ, và được nối với các hệ thống nối đất riêng biệt ở cả hai đầu.

...

...

...

Mạng liên kết trở kháng thấp là cần thiết để tránh chênh lệch điện thế nguy hiểm giữa tất cả các thiết bị bên trong LPZ bên trong. Hơn nữa, mạng liên kết này cũng làm giảm trường từ (xem Phụ lục A).

Điều này có thể được thực hiện bằng một mạng liên kết dạng lưới tích hợp với các phần dẫn điện của kết cấu hoặc các phần của hệ thống bên trong, và bằng các phần kim loại hoặc dịch vụ dẫn liên kết tại biên của mỗi LPZ một cách trực tiếp hoặc thông qua SPD thích hợp.

Mạng liên kết có thể được bố trí ở dạng kết cấu lưới ba chiều với độ rộng thông thường của mỗi mắt lưới là 5 m (xem Hình 5). Kiểu này đòi hỏi nhiều mối nối liên kết giữa các thành phần kim loại bên trong hoặc trên kết cấu (ví dụ như cốt thép trong bê tông, thanh ray của thang máy, cần trục, mái kim loại, mặt tiền bằng kim loại, khung kim loại của cửa và cửa sổ, khung kim loại của nền nhà, các đường ống cung cấp dịch vụ và máng cáp). Các thanh liên kết (ví dụ như các thanh liên kết vòng, một vài thanh liên kết ở các tầng khác nhau của kết cấu) và các màn chắn từ của LPZ phải được tích hợp theo cách tương tự.

Ví dụ về các mạng liên kết được cho trong Hình 7 và Hình 8.

CHÚ DẪN

1 Dây thu sét

2 Tấm kim loại của tường chắn trên mái

3 Thanh cốt thép

...

...

...

5 Mối nối của lưới dẫn điện

6 Mối nối dùng cho thanh liên kết bên trong

7 Đấu nối bằng cách hàn hoặc kẹp

8 Đấu nối bất kỳ

9 Cốt thép trong bê tông (có lưới dẫn điện đặt chồng lên)

10 Điện cực đất vòng (nếu có)

11 Điện cực đất móng

a khoảng cách thông thường là 5 m cho lưới dẫn điện đặt chồng lên

b khoảng cách thông thường là 1 m để nối lưới này với cốt thép

...

...

...

CHÚ DẪN

1 Thiết bị cấp điện

2 Rầm thép

3 Tấm phủ kim loại của mặt tiền

4 Mối nối liên kết

5 Thiết bị điện hoặc điện tử

6 Thanh liên kết

7 Cốt thép trong bê tông (có lưới dẫn đặt chồng lên)

...

...

...

9 Lối vào chung cho các dịch vụ khác nhau

Hình 8 - Liên kết đẳng thế trong một kết cấu có cốt thép

Các phần dẫn điện (ví dụ như tủ bảng điện, vỏ máy, giá đỡ) và dây dẫn nối đất bảo vệ (PE) của các hệ thống bên trong phải được nối với mạng liên kết theo các cấu hình dưới đây (xem Hình 9):

Cấu hình nối sao S

Cấu hình dạng lưới M

Cấu hình cơ bản

...

...

...

CHÚ DẪN

   Mạng liên kết

   Dây liên kết

   Thiết bị

        Điểm liên kết với mạng liên kết

EPR     Điểm đất chuẩn

S_S         Cấu hình điểm sao được tích hợp bằng điểm sao

...

...

...

Hình 9 - Tích hợp các phần dẫn của hệ thống bên trong vào mạng liên kết

Nếu sử dụng cấu hình S thì tất cả các bộ phận kim loại (như tủ bảng điện, vỏ máy, giá đỡ) của các hệ thống bên trong phải được cách ly với hệ thống nối đất. Cấu hình S phải được tích hợp vào hệ thống nối đất chỉ bằng một thanh liên kết duy nhất có vai trò như điểm đất chuẩn (EPR) tạo thành kiểu S_S. Khi sử dụng cấu hình S, tất cả các đường dây giữa các thiết bị riêng lẻ phải chạy song song và gần với các dây liên kết theo cấu hình sao để tránh các vòng cảm ứng. Cấu hình S có thể được sử dụng ở những nơi mà các hệ thống bên trong được đặt trong không gian nhỏ và tất cả các đường dây đều đi vào hệ thống tại cùng một điểm.

Nếu sử dụng cấu hình M thì các bộ phận kim loại (như tủ bảng điện, vỏ máy, giá đỡ) của các hệ thống bên trong không cần phải cách ly với hệ thống nối đất nhưng phải được tích hợp vào hệ thống nối đất này thông qua các điểm liên kết, tạo thành kiểu M_M. Cấu hình M thường được sử dụng cho các hệ thống bên trong trải dài trong một vùng rộng hoặc trong toàn bộ kết cấu, nơi mà có nhiều đường dây chạy giữa các phần của một thiết bị, và nơi mà các dây dẫn đi vào kết cấu tại một số điểm.

Trong hệ thống phức, các ưu điểm của cả hai cấu hình (S và M) có thể được kết hợp như minh họa trên Hình 10, tạo thành kiểu kết hợp 1 (S_S kết hợp với M_M) và kiểu thứ 2 (M_S kết hợp với M_M).

Kết hợp 1

Kết hợp 2

Tích hợp vào mạng liên kết

...

...

...

CHÚ DẪN

    Mạng liên kết

   Dây liên kết

   Thiết bị

         Điểm liên kết với mạng liên kết

EPR     Điểm đất chuẩn

S_S         Cấu hình điểm sao được tích hợp bằng điểm sao

M_M        Cấu hình lưới được tích hợp bằng lưới

M_S        Cấu hình lưới được tích hợp bằng điểm sao

...

...

...

5.4. Các thanh liên kết

Các thanh liên kết được lắp đặt để liên kết:

- tất cả các dịch vụ dẫn đi vào LPZ (trực tiếp hoặc thông qua SPD thích hợp),

- dây nối đất bảo vệ PE,

- các bộ phận kim loại của hệ thống bên trong (tủ bảng điện, vỏ máy, giá đỡ),

- các màn chắn từ của LPZ tại chu vi hoặc bên trong kết cấu.

Các quy tắc lắp đặt sau là quan trọng đối với liên kết hiệu quả:

- tiêu chí cơ bản cho tất cả các mạng liên kết đó là mạng liên kết có trở kháng thấp;

- thanh liên kết cần được nối với hệ thống nối đất qua một tuyến ngắn nhất có thể;

...

...

...

- SPD cần phải được lắp đặt theo cách sao cho có thể sử dụng các đấu nối ngắn nhất có thể đến thanh liên kết và đến các dây dẫn mang điện để giảm thiểu sụt áp do cảm ứng.

- ở phía được bảo vệ của mạch điện (phía sau của SPD), các ảnh hưởng cảm ứng lẫn nhau cần được giảm thiểu bằng cách giảm thiểu diện tích các vòng hoặc sử dụng cáp hoặc đường ống cáp được bảo vệ.

5.5. Liên kết tại biên của LPZ

Trong trường hợp xác định LPZ, phải có liên kết cho tất cả các phần kim loại và dịch vụ kim loại (ví dụ các đường ống kim loại, đường dây điện hoặc đường dây tín hiệu) đi xuyên qua biên của LPZ.

CHÚ THÍCH: Liên kết của các dịch vụ đi vào LPZ 1 cần được thảo luận với các nhà cung cấp dịch vụ có liên quan (ví dụ như các cơ quan quản lý hệ thống điện hoặc hệ thống viễn thông) vì có thể sẽ có những yêu cầu mâu thuẫn nhau.

Liên kết phải được thực hiện thông qua các thanh liên kết, các thanh này được đặt gần nhất có thể với điểm đi vào tại đường biên.

Trong trường hợp có thể, các dịch vụ nên đi vào LPZ ở cùng một vị trí và được nối với cùng một thanh liên kết. Nếu các dịch vụ đi vào LPZ ở những vị trí khác nhau, mỗi dịch vụ phải được nối với một thanh liên kết và các thanh liên kết này phải được nối với nhau. Để làm điều này thì nên dùng một thanh liên kết dạng vòng (vòng dẫn).

Luôn yêu cầu phải có SPD liên kết đẳng thế tại lối vào của LPZ để liên kết các đường dây đi vào, mà các đường dây này đã được nối với các hệ thống bên trong của LPZ, với thanh liên kết. Sử dụng LPZ liên kết hoặc mở rộng có thể giảm số lượng các SPD cần thiết.

Cáp được bảo vệ hoặc đường ống cáp kim loại được liên kết tại biên của mỗi LPZ, có thể được sử dụng để liên kết một vài LPZ cùng cấp để tạo thành một LPZ hoặc để mở rộng một LPZ đến biên tiếp theo.

...

...

...

Vật liệu, kích thước và các điều kiện sử dụng phù hợp với TCVN 9888-3 (IEC 62305-3). Tiết diện nhỏ nhất của các bộ phận liên kết phải phù hợp với Bảng 1 dưới đây.

Kích thước của gá kẹp phụ thuộc vào các giá trị của dòng điện sét của LPL (xem TCVN 9888-1 (IEC 62305-1)) và các phân tích chia dòng (xem TCVN 9888-3 (IEC 62305-3)).

SPD phải có kích thước theo Điều 7.

Bảng 1 - Tiết diện nhỏ nhất của các bộ phận liên kết

Bộ phận liên kết

Vật liệu ^a

Tiết diện ^b

mm

Các thanh liên kết (đồng, thép mạ đồng hoặc thép mạ kẽm)

...

...

...

50

Dây dẫn nối từ các thanh liên kết đến hệ thống đất hoặc đến các thanh liên kết khác (mang toàn bộ hoặc một phần dòng điện sét)

Cu

Al

Fe

16

25

50

Dây dẫn nối từ hệ thống lắp đặt kim loại bên trong đến các thanh liên kết (mang một phần dòng điện sét)

...

...

...

Al

Fe

6

10

16

Dây dẫn nối đất cho SPD (mang toàn bộ hoặc một phần lớn dòng điện sét) ^c

Cấp I

Cấp II

Cấp III

...

...

...

Cu

16

6

1

1

^a Khi sử dụng các vật liệu khác thì tiết diện phải đảm bảo điện trở tương đương.

^b Ở một số nước, cho phép sử dụng kích thước dây dẫn nhỏ hơn với điều kiện là đáp ứng các yêu cầu về nhiệt và về cơ - xem Phụ lục D của TCVN 9888-1:2013 (IEC 62305-1:2010).

^c Đối với các SPD sử dụng trong các ứng dụng cấp điện, thông tin bổ sung để nối các dây dẫn được cho trong TCVN 7447-5-53 (IEC 60364-5-53) và IEC 61643-12.

^d Các SPD khác bao gồm cả các SPD sử dụng trong hệ thống viễn thông và truyền tín hiệu.

...

...

...

6.1. Quy định chung

Màn chắn từ có thể giảm trường điện từ cũng như biên độ của các đột biến cảm ứng bên trong. Việc định tuyến thích hợp của các đường dây bên trong cũng có thể giảm thiểu biên độ của các đột biến cảm ứng bên trong. Cả hai biện pháp này đều có hiệu quả trong việc giảm các hư hỏng vĩnh viễn cho các hệ thống bên trong.

6.2. Màn chắn không gian

Các màn chắn không gian xác định vùng được bảo vệ, mà vùng này có thể bao phủ toàn bộ kết cấu, một phần kết cấu, một phòng duy nhất hoặc chỉ là vỏ thiết bị. Các màn chắn này có thể là dạng lưới hoặc là các màn chắn kim loại liền, hoặc là “các thành phần cơ bản” của bản thân kết cấu (xem TCVN 9888-3 (IEC 62305-3)).

Các màn chắn không gian thích hợp để bảo vệ một vùng xác định của kết cấu hơn là bảo vệ một số thiết bị riêng lẻ. Nên có kế hoạch lắp đặt các màn chắn không gian ngay trong giai đoạn đầu của thiết kế một kết cấu mới hoặc một hệ thống bên trong mới. Việc cải tạo hệ thống lắp đặt đã có thể làm tăng chi phí và việc lắp đặt khó khăn hơn.

6.3. Che chắn cho các đường dây bên trong

Việc che chắn có thể chỉ được sử dụng cho các cáp và thiết bị của các hệ thống cần bảo vệ; màn chắn bằng kim loại của cáp, các đường ống cáp bằng kim loại khép kín và các vỏ kim loại của thiết bị được sử dụng cho mục đích này.

6.4. Định tuyến các đường dây bên trong

Việc định tuyến thích hợp cho các đường dây bên trong sẽ giảm thiểu các mạch vòng cảm ứng và giảm được việc tạo ra các điện áp đột biến bên trong kết cấu. Diện tích mạch vòng này có thể được giảm thiểu bằng cách định tuyến cho cáp gần với các phần sẵn có của kết cấu mà chúng đã được nối đất và/hoặc bằng cách cho các đường dây điện và dây tín hiệu đi cùng với nhau.

...

...

...

6.5. Che chắn cho các đường dây bên ngoài

Che chắn cho các đường dây bên ngoài đi vào kết cấu bao gồm màn chắn cáp, các đường ống cáp bằng kim loại khép kín và các đường ống cáp trong bê tông kết nối với cốt thép. Việc che chắn cho các đường dây bên ngoài là có ích nhưng thường không phải là trách nhiệm của người hoạch định SPM (vì thường thì chủ sở hữu các đường dây bên ngoài là nhà cung cấp mạng).

6.6. Vật liệu và kích thước của các màn chắn từ

Tại biên của LPZ 0_A và LPZ 1, vật liệu và kích thước của các màn chắn từ (ví dụ như các màn chắn không gian dạng lưới, màn chắn cáp và vỏ của thiết bị) phải phù hợp với các yêu cầu của TCVN 9888-3 (IEC 62305-3) đối với dây thu sét và/hoặc dây dẫn sét. Cụ thể là:

- chiều dày nhỏ nhất của các phần kim loại dạng tấm, đường ống kim loại, màn chắn cáp phải phù hợp với Bảng 3 của TCVN 9888-3:2013 (IEC 62035-3:2010);

- bố trí màn chắn không gian dạng lưới và tiết diện nhỏ nhất của các dây dẫn của nó phải phù hợp với Bảng 6 của TCVN 9888-3:2013 (IEC 62035-3:2010).

Kích thước của các màn chắn từ không được thiết kế để dẫn dòng sét thì không yêu cầu phải phù hợp với Bảng 3 và Bảng 6 của TCVN 9888-3:2013 (IEC 62035-3:2010):

- tại biên của các LPZ 1/2 hoặc cao hơn với điều kiện là khoảng cách ly s giữa màn chắn từ và LPS được đảm bảo (xem 6.3 của TCVN 9888-3:2013 (IEC 62035-3:2010)),

- tại biên của LPZ bất kỳ, nếu số lượng các trường hợp nguy hiểm N_D do sét đánh vào kết cấu là không đáng kể, tức là N_D < 0,01 trong một năm.

...

...

...

Việc bảo vệ các hệ thống bên trong chống đột biến đòi hỏi sự tiếp cận có tính hệ thống bao gồm các SPD phối hợp cho cả đường dây điện và đường dây tín hiệu. Quy tắc cho việc lựa chọn và lắp đặt hệ thống SPD phối hợp là giống nhau trong cả hai trường hợp (xem Phụ lục C).

Trong SPM sử dụng khái niệm vùng bảo vệ chống sét có nhiều hơn một vùng LPZ bên trong (LPZ 1, LPZ 2 và cao hơn), (các) SPD phải được đặt ở lối đường dây đi vào từng LPZ (xem Hình 2).

Trong SPM chỉ sử dụng LPZ 1, SPD phải được đặt ít nhất ở lối đường dây đi vào LPZ 1.

Trong cả hai trường hợp, có thể yêu cầu các SPD bổ sung nếu khoảng cách giữa vị trí của SPD và thiết bị cần bảo vệ là quá dài (xem Phụ lục C).

Các yêu cầu thử nghiệm SPD phải phù hợp với:

- IEC 61643-1 đối với các hệ thống điện,

- IEC 61643-21 đối với các hệ thống viễn thông và truyền tín hiệu.

Thông tin về lựa chọn và lắp đặt hệ thống SPD phối hợp được cho trong Phụ lục C. Lựa chọn và lắp đặt hệ thống SPD phối hợp cũng phải phù hợp với:

- IEC 61463-12 và TCVN 7447-5-53 (IEC 60364-5-53) về bảo vệ các hệ thống điện,

...

...

...

Thông tin và hướng dẫn về biên độ của đột biến sinh ra bởi sét, dùng để xác định kích thước các SPD lắp đặt ở các vị trí khác nhau của kết cấu, được cho trong Phụ lục D của tiêu chuẩn này và Phụ lục E của TCVN 9888-1:2013 (IEC 62305-1:2010).

8. Giao diện cách ly

Giao diện cách ly có thể được sử dụng để giảm ảnh hưởng của LEMP. Việc bảo vệ các giao diện cách ly này chống quá điện áp, khi thiết, có thể đạt được bằng cách sử dụng các SPD. Mức chịu đựng của giao diện cách ly và mức bảo vệ điện áp của SPD U_P phải phù hợp với cấp quá điện áp của IEC 60664-1.

CHÚ THÍCH: Mục đích của tiêu chuẩn này nhằm giải quyết việc bảo vệ các thiết bị bên trong một kết cấu mà không phải bảo vệ các kết cấu liên kết, với các kết cấu liên kết thì việc dùng máy biến áp cách ly có thể mang lại lợi ích nào đó.

9. Quản lý SPM

9.1. Quy định chung

Để có được hệ thống bảo vệ hiệu quả và hợp lý về chi phí, việc thiết kế cần phải được thực hiện trong giai đoạn thiết kế và trước khi xây dựng. Điều này cho phép tối ưu hóa việc sử dụng các thành phần sẵn có của kết cấu và lựa chọn sự thỏa hiệp tốt nhất cho bố trí cáp và vị trí đặt thiết bị.

Để cải tạo các kết cấu sẵn có, chi phí cho SPM thường cao hơn so với chi phí cho kết cấu mới. Tuy nhiên, có thể giảm thiểu chi phí bằng cách lựa chọn LPZ hợp lý, sử dụng các hệ thống lắp đặt sẵn có hoặc bằng cách nâng cấp chúng.

Bảo vệ hợp lý chỉ có thể đạt được nếu

...

...

...

- có sự phối hợp tốt giữa các chuyên gia về xây dựng và các chuyên gia về SPM (ví dụ như các kỹ sư xây dựng và các kỹ sư điện),

- tuân thủ kế hoạch quản lý trong 9.2.

SPM phải được bảo trì bằng cách kiểm tra và bảo trì. Sau khi có các thay đổi liên quan đến kết cấu hoặc biện pháp bảo vệ, cần tiến hành lại việc đánh giá rủi ro.

9.2. Kế hoạch quản lý SPM

Lập kế hoạch và phối hợp các SPM đòi hỏi phải có một kế hoạch quản lý (xem Bảng 2), bắt đầu với đánh giá rủi ro ban đầu (TCVN 9888-2 (IEC 62305-2)) để xác định các biện pháp bảo vệ cần thiết nhằm giảm rủi ro đến mức chấp nhận được. Để đạt được điều này, phải xác định các vùng bảo vệ chống sét.

Dựa vào LPL được xác định trong TCVN 9888-1 (IEC 62305-1), và các biện pháp bảo vệ cần áp dụng, phải thực hiện các bước sau:

- phải cung cấp hệ thống nối đất gồm mạng liên kết và hệ thống đầu tiếp đất;

- phần kim loại bên ngoài và các dịch vụ đi vào phải được nối trực tiếp hoặc thông qua SPD thích hợp;

- hệ thống bên trong phải được tích hợp vào mạng liên kết;

...

...

...

- phải xác định các yêu cầu đối với hệ thống SPD phối hợp;

- phải xác định sự phù hợp của giao diện cách ly:

- đối với các hệ thống sẵn có, có thể cần các biện pháp đặc biệt (xem Phụ lục B).

Sau đó tỷ số chi phí/lợi ích của biện pháp bảo vệ được chọn cần được tính toán lại và được tối ưu hóa bằng cách sử dụng các phương pháp đánh giá rủi ro.

Bảng 2 - Kế hoạch quản lý SPM đối với các tòa nhà mới và đối với các thay đổi lớn trong xây dựng hoặc sử dụng tòa nhà

Bước

Mục đích

Được thực hiện bởi

Phân tích rủi ro ban đầu ^a

...

...

...

Nếu cần, chọn SPM thích hợp sử dụng phương pháp đánh giá rủi ro

Kiểm tra sự giảm rủi ro sau mỗi biện pháp bảo vệ được áp dụng

Chuyên gia bảo vệ chống sét ^b

Chủ nhà

Phân tích rủi ro kết thúc ^a

Tỷ số chi phí/lợi ích đối với biện pháp bảo vệ được chọn cần được tối ưu hóa bằng cách sử dụng lại đánh giá rủi ro.

Khi đó xác định được:

- LPZ và các tham số của sét

- LPZ và các biên của chúng

...

...

...

Chủ nhà

Lập kế hoạch SPM

Xác định SPM:

- biện pháp màn chắn không gian

- mạng liên kết

- hệ thống đầu tiếp đất

- che chắn và định tuyến đường dây

- hệ thống SPD phối hợp

- giao diện cách ly

...

...

...

Chủ nhà

Kiến trúc sư

Nhà thiết kế các hệ thống bên trong

Nhà thiết kế các hệ thống lắp đặt liên quan

Thiết kế SPM

Các bản vẽ và mô tả chung

Chuẩn bị danh sách các nhà thầu

Các bản vẽ chi tiết và thời gian biểu cho việc lắp đặt

Kỹ sư hoặc tương đương

...

...

...

Chất lượng của hệ thống lắp đặt

Hồ sơ, tài liệu

Có thể xem xét chỉnh sửa lại các bản vẽ chi tiết

Chuyên gia bảo vệ chống sét

Người lắp đặt SPM

Kỹ sư

Chuyên gia giám sát

Phê duyệt SPM

Kiểm tra và báo cáo về tình trạng của hệ thống

...

...

...

Chuyên gia giám sát

Kiểm tra lại

Đảm bảo tính hợp lý của SPM

Chuyên gia bảo vệ chống sét

Chuyên gia giám sát

^a Xem TCVN 9888-2 (IEC 62305-2)

^b Có kiến thức sâu rộng về EMC và kiến thức về thực tế lắp đặt.

9.3. Kiểm tra SPM

9.3.1. Quy định chung

...

...

...

- SPM phù hợp với thiết kế,

- SPM có khả năng thực hiện các chức năng theo thiết kế,

- biện pháp bảo vệ bổ sung mới bất kỳ được tích hợp đúng vào SPM.

Phải tiến hành kiểm tra

- trong suốt quá trình lắp đặt SPM,

- sau khi lắp đặt SPM,

- định kỳ,

- sau khi có sự thay đổi các thành phần liên quan đến SPM,

- có thể sau khi sét đánh vào kết cấu (ví dụ như khi được chỉ ra bởi bộ đếm sét, hoặc khi có người làm chứng đã nhìn thấy sét đánh vào kết cấu, hoặc khi có bằng chứng nhìn thấy được rằng kết cấu bị hư hại do sét).

...

...

...

- môi trường tại vị trí lắp đặt, ví dụ như các điều kiện về đất ăn mòn hoặc khí quyển ăn mòn,

- kiểu biện pháp bảo vệ được sử dụng.

CHÚ THÍCH: Trong trường hợp không có một yêu cầu cụ thể nào từ các cơ quan có thẩm quyền thì nên sử dụng các giá trị cho trong Bảng E.2 của TCVN 9888-3:2013 (IEC 62305-3:2010).

9.3.2. Quy trình kiểm tra

9.3.2.1. Xem xét tài liệu kỹ thuật

Sau khi lắp đặt các biện pháp SPM mới, các tài liệu kỹ thuật phải được xem xét sự phù hợp với các tiêu chuẩn liên quan và sự hoàn thiện của chúng. Do vậy, các tài liệu kỹ thuật phải được cập nhật liên tục, ví dụ sau khi thay đổi hoặc mở rộng SPM.

9.3.2.2. Kiểm tra trực quan

Kiểm tra trực quan phải được tiến hành để xác nhận rằng

- không có sự nới lỏng bất kỳ hoặc nứt/vỡ ngẫu nhiên trong các dây dẫn và mối nối.

...

...

...

- dây liên kết và màn chắn cáp không bị hư hại và được nối với nhau,

- không có bổ sung hoặc thay đổi nào đòi hỏi thêm các biện pháp bảo vệ,

- không có dấu hiệu nào cho thấy các SPD và các cầu chảy hoặc dao cách ly của chúng bị hư hại,

- duy trì định tuyến đường dây hợp lý,

- duy trì được khoảng cách an toàn đến màn chắn không gian.

9.3.2.3. Phép đo

Phép đo sự liên tục về điện cần được tiến hành trên các phần của hệ thống nối đất và hệ thống liên kết, các phần này không nhìn thấy được để kiểm tra.

CHÚ THÍCH: Nếu SPD không có các chỉ dẫn trực quan (cờ báo), phép đo cần được tiến hành theo các hướng dẫn của nhà chế tạo để xác minh trạng thái hoạt động của nó, khi cần.

9.3.3. Tài liệu kiểm tra

...

...

...

Người kiểm tra phải chuẩn bị bản báo cáo mà sẽ được đính kèm với tài liệu kỹ thuật và các báo cáo kiểm tra trước đó. Báo cáo kiểm tra phải chứa các thông tin bao gồm:

- tình trạng chung của SPM,

- sai khác bất kỳ so với tài liệu kỹ thuật,

- kết quả của các phép đo đã thực hiện.

9.4. Bảo trì

Sau khi kiểm tra, tất cả các sai sót đã chỉ ra phải được sửa chữa ngay. Nếu cần, phải cập nhật các tài liệu kỹ thuật.

Phụ lục A

(tham khảo)

...

...

...

A.1. Quy định chung

Phụ lục A cung cấp thông tin để đánh giá môi trường điện từ bên trong LPZ, việc đánh giá này có thể được sử dụng cho việc bảo vệ chống LEMP. Đánh giá này cũng thích hợp cho việc bảo vệ chống nhiễu điện tử.

A.2. Ảnh hưởng của thiệt hại do sét lên hệ thống điện và điện tử do sét

A.2.1. Nguồn gây thiệt hại

Nguồn chính gây thiệt hại là dòng điện sét và trường từ của nó, trường từ này có cùng dạng sóng với dòng điện sét.

CHÚ THÍCH: Khi cân nhắc bảo vệ, ảnh hưởng của trường điện của sét thường ít được quan tâm.

A.2.2. Đối tượng thiệt hại

Các hệ thống bên trong, được lắp đặt trong hoặc trên kết cấu chỉ có mức chịu đột biến và trường từ giới hạn, có thể bị hỏng hoặc hoạt động sai khi bị ảnh hưởng của sét và trường từ đi theo nó.

Các hệ thống lắp bên ngoài kết cấu có thể bị nguy hiểm do trường từ không suy giảm và, nếu đặt ở vị trí không được bảo vệ, do các đột biến có độ lớn nhỏ hơn hoặc bằng dòng điện sét toàn phần của sét đánh trực tiếp.

...

...

...

Thông tin liên quan đến mức chịu đựng của thiết bị được nêu trong các tiêu chuẩn dưới đây:

· mức điện áp xung danh định của hệ thống lắp đặt điện được xác định trong Bảng F.1 của IEC 60664-1:2007. Mức chịu đựng được xác định bởi điện áp chịu xung danh định 1,5 kV - 2,5 kV - 4 kV và 6 kV đối với các hệ thống điện có điện áp 230/400 V và 277/480 V;

· mức chịu đựng của các thiết bị viễn thông được nêu trong ITU-T K.20^[3], K.21^[4] và K.45^[5].

Mức chịu đựng của thiết bị thường được xác định trong tờ quy định kỹ thuật đi kèm với thiết bị hoặc có thể được thử nghiệm

· theo đột biến dẫn sử dụng IEC 61000-4-5 với các mức điện áp thử nghiệm: 0,5 kV - 1 kV - 2 kV và 4 kV ở dạng sóng 1,2/50 ms và với các mức thử nghiệm đối với dòng điện là: 0,25 kA - 0,5 kA - 1 kA và 2 kA ở dạng sóng 8/20 ms,

CHÚ THÍCH: Để một số thiết bị cụ thể có thể đáp ứng các tiêu chuẩn nêu trên, chúng có thể phải kết hợp với các SPD bên trong. Đặc tính của các SPD bên trong này có thể ảnh hưởng đến các yêu cầu phối hợp.

· theo trường từ sử dụng IEC 61000-4-9 với các mức thử nghiệm 100 A/m - 300 A/m - 1 000 A/m ở dạng sóng 8/20 ms và IEC 61000-4-10 với các mức thử nghiệm 10 A/m - 30 A/m -100 A/m ở 1 MHz.

Thiết bị không phù hợp với các thử nghiệm phát xạ và miễn nhiễm bức xạ tần số radio (RF), được xác định trong các tiêu chuẩn sản phẩm EMC liên quan, có thể bị nguy hiểm do trường từ bức xạ trực tiếp lên chúng. Mặt khác, có thể bỏ qua thiệt hại của thiết bị phù hợp với tiêu chuẩn này.

A.2.3. Cơ chế liên kết giữa đối tượng thiệt hại và nguồn gây thiệt hại

...

...

...

A.3. Màn chắn không gian, định tuyến đường dây và che chắn đường dây

A.3.1. Quy định chung

Có thể giảm trường từ bên trong LPZ do sét đánh vào kết cấu hoặc vào đất gần kết cấu chỉ bằng màn chắn không gian của LPZ. Đột biến cảm ứng trong hệ thống điện tử có thể được giảm thiểu bằng màn chắn không gian hoặc bằng định tuyến và che chắn đường dây, hoặc bằng kết hợp cả hai phương pháp.

Hình A.1 là một ví dụ của LEMP trong trường hợp sét đánh vào kết cấu có các vùng bảo vệ chống sét LPZ 0, LPZ 1 và LPZ 2. Hệ thống điện tử cần bảo vệ được lắp đặt ở trong LPZ 2.

Hình A.1 - Trường hợp LEMP do sét đánh

Trong Bảng A.1, các điểm 1, 2, và 3 xác định các tham số l₀, H₀ và U_W của Hình A.1; các tham số thử nghiệm thích hợp, để đảm bảo rằng thiết bị có khả năng chịu ứng suất dự kiến ở nơi lắp đặt, được cho trong các điểm 4 và 5.

Bảng A.1 - Các tham số liên quan đến nguồn gây thiệt hại và thiết bị

1

...

...

...

Được xác định từ các tham số liên quan đến LPL I đến IV

TCVN 9888-1 (IEC 62305-1)

Xung
mS

Biên độ đối với LPL

I - II - III - IV

kA

Độ dốc đối với LPL

I - II - III - IV

...

...

...

Các ảnh hưởng liên quan:

l₀

10/350

1/200

0,25/100

200 - 150 - 100 - 100

100 - 75 - 50 - 50

50 - 37,5 - 25 - 25

20 - 15 - 10 -10

...

...

...

200 - 150 - 100 - 100

Dòng điện sét thành phần

Cảm ứng

Cảm ứng

H₀

Rút ra từ l₀ tương ứng

2

Mức điện áp xung danh định của hệ thống điện

Như đã xác định đối với cấp quá điện áp từ I đến IV với điện áp danh nghĩa 230/400 V và 277/480 V:

...

...

...

3

Mức chịu đựng của các thiết bị viễn thông

ITU-T K.20^[3], K.21^[4] và K.45^[5]

4

Thử nghiệm đối với thiết bị không có tiêu chuẩn sản phẩm phù hợp

Mức chịu đựng của thiết bị như được định nghĩa cho các ảnh hưởng của sét do dẫn (U, I)

IEC 61000-4-5

U_oc

Xung 1,2/50 ms

...

...

...

I_SC

Xung 8/20 ms

2 kVA - 1 kVA - 0,5 kVA - 0,25 kVA

5

Thử nghiệm đối với thiết bị không phù hợp với các chuẩn sản phẩm EMC liên quan

Mức chịu đựng của thiết bị như được định nghĩa cho các ảnh hưởng của sét do bức xạ (H)

IEC 61000-4-9

H

Xung 8/20 ms,
(dao động tắt dần 25 kHz, T_P = 10 ms)

...

...

...

IEC 61000-4-10

H

Dao dộng tắt dần 1 MHz
(xung 0,2/0,5 ms, T_P = 10 ms)

100 A/m - 30 A/m - 10 A/m

Nguồn điện từ chính gây thiệt hại cho hệ thống điện tử là dòng điện sét I₀ và trường từ H₀. Các dòng điện sét thành phần chạy qua các dịch vụ đi vào kết cấu. Các dòng điện này cũng như các trường từ có dạng sóng gần như giống nhau. Dòng điện sét được coi là gồm cú sét dương đầu tiên I_F. (thường là dạng sóng 10/350 ms có đuôi dài), cú sét âm đầu tiên I_FN (dạng sóng 1/200 ms) và các cú sét tiếp theo I_s (dạng sóng 0,25/100 ms). Dòng điện của cú sét dương đầu tiên I_F tạo ra trường từ H_F, dòng điện của cú sét âm đầu tiên I_FN tạo ra trường từ H_FN, và các dòng điện của các cú sét tiếp theo I_s tạo ra trường từ H_s.

Ảnh hưởng của cảm ứng từ chủ yếu gây ra do sườn tăng của trường từ. Như thể hiện trên Hình A.2, sườn tăng của H_F có thể được đặc trưng bằng một trường dao động tắt dần 25 kHz với giá trị lớn nhất H_F/MAX và thời gian để đạt giá trị lớn nhất là T_P/F là 10 ms. Theo cách tương tự, sườn tăng của H_S có thể được đặc trưng bằng một trường dao động tắt dần 1 MHz với giá trị lớn nhất H_S/MAX và thời gian để đạt đến giá trị lớn nhất T_P/S là 0,25 ms. Tương tự, sườn tăng của H_FN có thể được đặc trưng bằng một

............................

Hình A.2b - Mô phỏng sự tăng trường từ của cú sét tiếp theo (0,25/100 ms) bởi các dao động 1 MHz tắt dần (nhiều xung 0,2/0,5 ms)

...

...

...

CHÚ THÍCH 2: Tỷ lệ giữa các giá trị lớn nhất H_MAX/H_FN/MAX/H_S/MAX = 4: 2: 1.

Hình A.2 - Mô phỏng sự tăng trường từ bằng các dao động tắt dần

A.3.2. Màn chắn không gian dạng lưới

Trong thực tế, màn chắn cho thể tích lớn của LPZ thường được tạo ra bởi các thành phần tự nhiên của kết cấu như cốt thép của trần nhà, tường và nền nhà, khung kim loại, các phần kim loại của mái và mặt tiền. Những thành phần này cùng nhau tạo thành màn chắn không gian dạng lưới. Để việc bảo vệ có hiệu quả thì độ rộng của các mắt lưới thường nhỏ hơn 5 m.

CHÚ THÍCH 1: Sự hiệu quả của màn chắn có thể không đáng kể nếu LPZ 1 được tạo bởi một LPS thông thường bên ngoài phù hợp với TCVN 9888-3 (IEC 62305-3) với độ rộng các mắt lưới và các khoảng cách điển hình lớn hơn 5 m. Nếu không thì tòa nhà khung thép rộng với nhiều trụ bằng thép sẽ tạo ra hiệu quả bảo vệ đáng kể.

CHÚ THÍCH 2: Bảo vệ LPZ bên trong tiếp theo có thể được thực hiện bằng cách sử dụng các biện pháp màn chắn không gian, các giá hoặc tủ khép kín, hoặc sử dụng vỏ kim loại của thiết bị.

Hình A.3 chỉ ra cách thức trong thực tế sử dụng cốt thép trong bê tông và các khung kim loại (của các cửa kim loại và các cửa sổ có che chắn) để tạo ra vùng bảo vệ thể tích lớn cho một căn phòng hoặc một tòa nhà.

CHÚ DẪN

...

...

...

CHÚ THÍCH: Trong thực tế, đối với các kết cấu được mở rộng thì không thể hàn hay kẹp ở mọi điểm. Tuy nhiên, phần lớn các điểm được đấu nối một cách tự nhiên bởi các tiếp xúc trực tiếp hoặc bởi các dây dẫn bổ sung. Do vậy, trong thực tế có thể mỗi mét lại có một đấu nối.

Hình A.3 - Màn chắn không gian rộng được tạo bởi cốt và các khung kim loại

Các hệ thống bên trong được đặt ở trong một “không gian an toàn” có lưu ý đến khoảng cách an toàn đến màn chắn của LPZ (xem Hình A.4). Đó là vì các trường từ tương đối cao gần màn chắn, do các dòng sét thành phần chạy trong màn chắn (đặc biệt đối với LPZ 1).

CHÚ THÍCH: Không gian V_s cần được giữ khoảng cách an toàn d_s/1, hoặc d_s/2 với bảo vệ của LPZ n - xem Điều A.4.

Hình A.4 - Không gian cho các hệ thống điện và điện tử trong LPZ n bên trong

A.3.3. Định tuyến và che chắn đường dây

Các đột biến cảm ứng vào các hệ thống bên trong có thể được giảm xuống bằng cách định tuyến đường dây một cách hợp lý (giảm thiểu diện tích các vòng cảm ứng), hoặc bằng cách sử dụng các cáp hoặc các đường ống cáp bằng kim loại (giảm thiểu các ảnh hưởng cảm ứng bên trong), hoặc có thể kết hợp cả hai phương pháp (xem Hình A.5).

...

...

...

1. Thiết bị

2. Dây tín hiệu

3. Dây điện

4. Vòng cảm ứng

Hình A.5a - Hệ thống không được bảo vệ

CHÚ DẪN

1. Thiết bị

2. Dây tín hiệu

...

...

...

5. Màn chắn không gian

Hình A.5b - Giảm trường từ trong LPZ bên trong bằng màn chắn không gian

CHÚ DẪN

1. Thiết bị

2. Dây tín hiệu

3. Dây điện

6. Màn chắn đường dây

Hình A.5c - Giảm ảnh hưởng của trường lên các đường dây bằng màn chắn đường dây

...

...

...

CHÚ DẪN

1. Thiết bị

2. Dây tín hiệu

3. Dây điện

7. Vòng cảm ứng bị giảm

Hình A.5d - Giảm diện tích vòng cảm ứng bằng cách định tuyến đường dây thích hợp

Hình A.5 - Giảm ảnh hưởng cảm ứng bằng các biện pháp định tuyến và che chắn đường dây

Các cáp dẫn nối với hệ thống bên trong cần được định tuyến gần các thành phần kim loại của mạng liên kết nhất có thể. Việc cho các dây cáp chạy bên trong vỏ kim loại của mạng liên kết như các ống dẫn hình chữ U hay các máng kim loại sẽ mang lại nhiều lợi ích (xem thêm IEC 61000-5-2 ^[6]).

Cần đặc biệt quan tâm khi lắp đặt cáp gần màn chắn của LPZ (đặc biệt là LPZ 1) do giá trị đáng kể của trường từ ở vùng này.

...

...

...

Điện áp và dòng điện cảm ứng trong các vòng, tạo ra bởi các hệ thống lắp đặt, sinh ra các đột biến ở chế độ thông thường trong các hệ thống bên trong. Việc tính toán các điện áp và dòng điện cảm ứng này được cho trong Điều A.5.

Hình A.6 mô tả một ví dụ về một tòa văn phòng nhà rộng

· Che chắn dùng cho LPZ 1 được thực hiện bằng cốt thép và mặt tiền kim loại, và nhờ các vỏ bọc được che chắn đối với các hệ thống nhạy bên trong LPZ 2. Để có thể lắp đặt một hệ thống lưới liên kết hẹp, một số đầu nối liên kết được bố trí trong từng phòng.

· LPZ 0 được mở rộng vào LPZ 1 để chứa nguồn điện 20 kV vì việc lắp đặt các SPD vào phía điện áp cao được thực hiện ngay ở lối ra là không khả thi trong trường hợp đặc biệt này.

CHÚ DẪN

· đầu nối đẳng thế

o thiết bị bảo vệ chống đột biến (SPD)

Hình A.6 - Ví dụ về SPM của một tòa nhà văn phòng

...

...

...

A.4.1. Xấp xỉ trường từ bên trong LPZ

Nếu không thực hiện được một nghiên cứu lý thuyết (A.4.2) hay thực nghiệm (A.4.3) về hiệu quả che chắn thì độ suy giảm có thể được tính toán như sau.

A.4.1.1. Màn chắn không gian dạng lưới của LPZ 1 trong trường hợp sét đánh trực tiếp

Màn chắn của tòa nhà (màn chắn xung quanh LPZ 1) có thể là một phần của LPS bên ngoài; các dòng điện do sét đánh trực tiếp sẽ chạy dọc theo nó. Trường hợp này được mô tả bằng Hình A.7a trong đó giả thiết rằng sét đánh vào kết cấu tại một điểm bất kì trên mái.

CHÚ THÍCH: Các khoảng cách d_w và d_r được xác định cho điểm đang xem xét.

Hình A.7a - Trường từ bên trong LPZ 1

CHÚ THÍCH: Các khoảng cách d_w và d_r được xác định cho biên của LPZ 2.

...

...

...

Hình A.7 - Đánh giá các giá trị của trường từ trong trường hợp sét đánh trực tiếp

Đối với cường độ trường từ H₁ tại một điểm bất kì bên trong LPZ 1, áp dụng công thức sau

 (A/m)                    (A.1)

trong đó

d_r (m) là khoảng cách ngắn nhất giữa điểm đang xét với mái của LPZ 1 được che chắn;

d_w (m) là khoảng cách ngắn nhất giữa điểm đang xét với tường của LPZ 1 được che chắn;

l₀ (A) là dòng điện sét trong LPZ 0_A;

k_h (1/) là hệ số cấu hình, thông thường k_h = 0,01;

w_m (m) là độ rộng mắt lưới của màn chắn dạng lưới của LPZ 1.

...

...

...

- gây bởi cú sét dương đầu tiên (A.2)

- gây bởi cú sét âm đầu tiên (A.3)

-  gây bởi các sét tiếp theo (A.4)

trong đó

I_F/MAX (A) là giá trị cực đại của cú sét dương đầu tiên ứng với cấp bảo vệ này;

I_FN/MAX (A) là giá trị cực đại của cú sét âm đầu tiên ứng với cấp bảo vệ này;

I_S/MAX (A) là giá trị cực đại của các cú sét tiếp theo ứng với cấp bảo vệ này.

CHÚ THÍCH 1: Trường từ giảm đi hai lần nếu lắp đặt mạng liên kết dạng mắt lưới phù hợp với 5.2.

Các giá trị này của trường từ chỉ đúng với một thể tích an toàn V_s bên trong màn chắn dạng lưới với khoảng cách an toàn d_s/1 từ màn chắn (xem Hình A.4):

...

...

...

d_s/1 = w_m (m) với SF < 10                                                            (A.6)

trong đó:

SF (dB) là hệ số che chắn tính được từ các công thức của Bảng A.3;

w_m (m) là độ rộng mắt lưới của màn chắn dạng lưới

CHÚ THÍCH 2: Kết quả thực nghiệm của trường từ bên trong LPZ 1 với màn chắn dạng lưới chỉ ra rằng độ tăng trường từ gần màn chắn là nhỏ hơn so với kết quả tính được từ các công thức trên.

VÍ DỤ

Xét một ví dụ, xem xét ba màn chắn dạng lưới bằng đồng với các kích thước cho trong Bảng A.2 và có độ rộng mắt lưới trung bình là w_m = 2 m (xem Hình A.10). Điều này tạo ra khoảng cách an toàn là d_s/1 = 2,0 m, xác định thể tích an toàn V_S. Các giá trị hợp lệ của H_1/MAX bên trong V_S được tính với l_0/MAX = 100 kA và được thể hiện trong Bảng A.2. Khoảng cách tới mái bằng nửa chiều cao: d_r = H / 2. Khoảng cách tới tường bằng nửa chiều dài: d_w = L / 2 (ở giữa) hay bằng: d_w = d_s/1 (trường hợp xấu nhất gần tường).

Bảng A.2 - Các ví dụ với l_0MAX = 100 kA và w_m = 2 m

Loại màn chắn

...

...

...

L x W x H

m

H_1/MAX (ở giữa)

A/m

H_1/MAX (d_w = d_s/1)

A/m

1

10 x 10 x 10

179

...

...

...

2

50 x 50 x 10

36

447

3

10 x 10 x 50

80

200

A.4.1.2. Màn chắn không gian dạng lưới của LPZ 1 trong trường hợp sét đánh gần

...

...

...

Hình A.8 - Đánh giá các giá trị của trường từ trong trường hợp sét đánh gần

Hệ số che chắn SF của các màn chắn không gian dạng lưới đối với một sóng phẳng được cho trong Bảng A.3 dưới đây.

Bảng A.3 - Suy giảm trường từ của các màn chắn không gian dạng lưới đối với sóng phẳng

Vật liệu

SF (dB)^{a, b}

25 kHz (có hiệu lực với cú sét dương đầu tiên)

1 MHz (có hiệu lực với các cú sét tiếp theo)

...

...

...

Đồng hoặc nhôm

20 x log (8.5/w_m)

20 x log (8.5/w_m)

Thép ^c

20 x log (8.5/w_m)

w_m độ rộng mắt lưới của màn chắn dạng lưới

r_c bán kính các thanh của màn chắn dạng lưới

^a SF = 0 trong trường hợp các công thức này cho kết quả âm.

...

...

...

^c Độ từ thẩm tương đối m_r » 200.

Cường độ trường từ tới H₀ được tính toán bằng công thức:

H₀ = l₀ / (2 x p x s_a) (A / m) với SF ³ 10                (A.7)

trong đó

l₀ (A) là dòng điện sét trong LPZ 0_A;

s_a (m) là khoảng cách giữa điểm sét đánh và tâm của thể tích được che chắn.

Từ đó dẫn đến các giá trị cực đại của cường độ trường từ trong LPZ 0

- H_0/F/MAX = I_F/MAX / (2 x p x s_a) (A / m) gây bởi cú sét dương đầu tiên                      (A.8)

- H_0/FN/MAX = I_FN/MAX / (2 x p x s_a) (A / m) gây bởi cú sét âm đầu tiên                        (A.9)

...

...

...

trong đó

l_F/MAX (A) là giá trị lớn nhất của dòng điện sét của cú sét dương đầu tiên ứng với cấp bảo vệ đã chọn;

l_FN/MAX (A) là giá trị lớn nhất của dòng điện sét của cú sét âm đầu tiên ứng với cấp bảo vệ đã chọn;

l_S/MAX (A) là giá trị lớn nhất của dòng điện sét của các cú sét tiếp theo ứng với cấp bảo vệ đã chọn;

Sự suy giảm của H₀ xuống còn H₁ trong LPZ 1 có thể được suy ra từ các giá trị của SF trong Bảng A.3:

H_1/MAX = H_0/MAX/10^SF/20 (A/m)                                  (A.11)

trong đó

SF (dB)             là hệ số che chắn tính toán từ các công thức trong Bảng A.3

H_0/MAX (A/m)       là cường độ trường từ trong LPZ 0.

...

...

...

H_1/F/MAX = H_0/F/MAX / 10^SF/20 (A / m) gây bởi cú sét dương đầu tiên                                    (A.12)

H_1/FN/MAX = H_0/FN/MAX / 10^SF/20 (A / m) gây bởi cú sét âm đầu tiên                                       (A.13)

H_1/S/MAX = H_0/S/MAX / 10^SF/20 (A / m)gây bởi các cú sét tiếp theo                                         (A.14)

Các giá trị cường độ trường từ này chỉ đúng với thể tích an toàn V_S bên trong màn chắn dạng lưới với khoảng cách an toàn d_s/2 tính từ màn chắn (xem Hình A.4).

d_s/2 = w_m^SF/10(m) với SF ³ 10                                (A.15)

d_s/2 = w_m (m) với SF < 10                                    (A.16)

trong đó

SF (dB) là hệ số che chắn tính toán từ các công thức trong Bảng A.3

w_m (m) là độ rộng mắt lưới của màn chắn dạng lưới.

...

...

...

VÍ DỤ

Cường độ trường từ H_1/MAX bên trong LPZ 1 trong trường hợp sét đánh gần phụ thuộc vào: dòng điện sét l_0/MAX, hệ số che chắn SF của màn chắn của LPZ 1 và khoảng cách s_a giữa kênh sét và tâm của LPZ 1 (xem Hình A.8).

Dòng điện sét l_0/MAX phụ thuộc vào LPL đã chọn (xem TCVN 9888-1 (IEC 62305-1)). Hệ số che chắn SF (xem Bảng A.3) chủ yếu là một hàm của độ rộng mắt lưới của màn chắn dạng lưới. Khoảng cách s_a là:

- khoảng cách cho trước giữa tâm của LPZ 1 và một vật thể ở gần (ví dụ một cái cột) trong trường hợp sét đánh vào vật thể đó, hoặc

- khoảng cách tối thiểu giữa tâm của LPZ 1 và kênh sét trong trường hợp sét đánh xuống đất gần LPZ 1.

Vậy nên điều kiện xấu nhất là dòng điện lớn nhất l_0/MAX kết hợp với khoảng cách s_a gần nhất có thể. Như thể hiện trên Hình A.9 thì khoảng cách s_a tối thiểu này là một hàm của chiều cao H và chiều dài L (hay chiều rộng W) của kết cấu (LPZ 1), và của bán kính quả cầu lăn r ứng với l_0/MAX (xem Bảng A.4), xác định từ mô hình điện hình học (xem Điều A.4 của TCVN 9888-1:2013 (IEC 62305-1:2010))

Hình A.9 - Khoảng cách s_a phụ thuộc vào bán kính quả cầu lăn và các kích thước của kết cấu

Khoảng cách này có thể được tính như sau:

...

...

...

s_a = r + L/2 với H ³ r                                                                              (A.18)

CHÚ THÍCH: Với các khoảng cách gần hơn giá trị tối thiểu này thì sét sẽ đánh trực tiếp vào kết cấu.

Có thể xác định ba màn chắn thông thường có các kích thước cho trong Bảng A.5. Một màn chắn dạng lưới bằng đồng giả thiết có độ rộng mắt lưới trung bình w_m = 2 m. Điều này dẫn đến hệ số che chắn là SF = 12,6 dB và khoảng cách an toàn là d_s/2 = 2,5 m, xác định một thể tích an toàn V_S. Các giá trị của H_0/MAX và H_1/MAX (giả sử là hợp lệ mọi điểm bên trong V_S) được tính với l_0/MAX = 100 kA và thể hiện trong Bảng A.5.

Bảng A.4 - Bán kính quả cầu lăn ứng với dòng điện sét lớn nhất

Cấp bảo vệ

Dòng sét lớn nhất

l_0/MAX kA

Bán kính quả cầu lăn r

m

...

...

...

200

313

II

150

260

III - IV

100

200

Bảng A.5 - Ví dụ với l_0/MAX = 100 kA và w_m = 2 m ứng với SF = 12,6 dB

...

...

...

xem Hình A.10

L x W x H

m

s_a

m

H_0/MAX

A/m

H_1/MAX

A/m

...

...

...

10 x 10 x 10

67

236

56

2

50 x 50 x 10

87

182

43

...

...

...

10 x 10 x 50

137

116

27

A.4.1.3. Màn chắn không gian dạng lưới cho LPZ 2 và cao hơn

Ở các màn chắn dạng lưới của LPZ 2 và cao hơn thì không có dòng điện sét cục bộ đáng kể nào. Cho nên, trong cách tiếp cận đầu tiên, sự suy giảm của H_n xuống còn H_n+1 có thể được tính như đã cho ở A.4.1.2 với các sét đánh gần:

H_n+1 = H_n/10^SF/20 (A/m)                                         (A.19)

trong đó

SF (dB) là hệ số che chắn từ Bảng A.3

...

...

...

Nếu H_n = H₁ thì cường độ trường từ này có thể được tính như sau:

- Trong trường hợp sét đánh trực tiếp vào màn chắn dạng lưới của LPZ 1 thì xem A.4.1.1 và Hình A.7b, trong đó d_w và d_r là các khoảng cách giữa màn chắn của LPZ 2 với tường và mái.

- Trong trường hợp sét đánh gần LPZ 1 thì xem A.4.1.2 và Hình A.8.

Các giá trị cường độ trường từ này chỉ hợp lệ trong thể tích an toàn V_S bên trong màn chắn dạng lưới với khoảng cách an toàn d_s/2 từ màn chắn (như định nghĩa ở A.4.1.2 và thể hiện trên Hình A.4)

A.4.2. Tính toán lý thuyết cường độ trường từ gây bởi sét đánh trực tiếp

Trong A.4.1.1, các công thức để đánh giá cường độ trường từ H_1/MAX dựa trên các phép tính số đối với ba loại màn chắn dạng lưới thông thường như thể hiện trên Hình A.10. Trong các phép tính này giả thiết sét đánh vào một cạnh của mái. Kênh sét được mô phỏng bằng một thanh dẫn thẳng đứng với độ dài 100 m ở đỉnh của mái. Một tấm dẫn điện lý tưởng mô phỏng cho mặt nối đất.

Hình A.10 - Các loại màn chắn dạng lưới thể tích lớn

Trong tính toán này, trường từ liên kết giữa các thanh trong màn chắn dạng lưới bao gồm tất cả các thanh và kênh sét mô phỏng, được xem xét và tạo ra một hệ phương trình để tính toán sự phân bố dòng điện sét trên lưới. Từ sự phân bố dòng điện này sẽ suy ra cường độ trường từ bên trong màn chắn. Giả thiết rằng điện trở của các thanh có thể bỏ qua. Vậy nên sự phân bố dòng điện trên màn chắn dạng lưới và cường độ trường từ là không phụ thuộc vào tần số. Ngoài ra bỏ qua sự liên kết điện dung để tránh các ảnh hưởng quá độ.

...

...

...

Hình A.11 - Cường độ trường từ H_1/MAX bên trong màn chắn dạng lưới kiểu 1

Hình A.12 - Cường độ trường từ H_1/MAX bên trong màn chắn dạng lưới kiểu 1 ứng với độ rộng mắt lưới

CHÚ THÍCH 1: Các kết quả thực nghiệm của trường từ bên trong LPZ 1 với màn chắn dạng lưới chỉ ra rằng độ tăng của trường từ gần với màn chắn là nhỏ hơn độ tăng tính từ các phương trình trên

CHÚ THÍCH 2: Các kết quả tính toán này chỉ hợp lệ với các khoảng cách d_s/1 > w_m tới màn chắn dạng lưới.

Trong tất cả các trường hợp thì giả thiết dòng điện sét cực đại l_0/MAX = 100 kA. Trong cả hai Hình A.11 và A.12 thì H_1/MAX là cường độ trường từ cực đại tại một điểm, tính theo các thành phần H_x, H_y và H_z của nó:

                                   (A.20)

Trong Hình A.11 thì H_1/MAX được tính dọc theo đoạn thẳng bắt đầu từ điểm sét đánh (x = y = 0 m, z = 10 m) và kết thúc ở tâm của khối (x = y = 5 m, z = 5 m). H_1/MAX được vẽ dưới dạng một hàm của tọa độ x cho các điểm của đoạn thẳng này, trong đó tham số là độ rộng mắt lưới của màn chắn dạng lưới.

...

...

...

Cả hai hình đều thể hiện các ảnh hưởng của các tham số chính chi phối sự phân bố trường từ bên trong màn chắn dạng lưới: khoảng cách từ tường hay mái và độ rộng mắt lưới.

Trong Hình A.11 quan sát thấy rằng dọc theo các đoạn thẳng khác xuyên qua thể tích của màn chắn có thể có giao cắt với trục 0 và sự đổi dấu của các thành phần của cường độ trường từ H_1/MAX. Vì vậy các công thức trong A.4.1.1 là các xấp xỉ bậc nhất của phân bố trường từ thực (và phức tạp hơn) trong màn chắn dạng lưới.

A.4.3. Tính toán thực nghiệm trường từ gây bởi sét đánh trực tiếp

Có thể xác định trường từ bên trong các kết cấu được che chắn bằng cách đo đạc thực nghiệm. Hình A.13 thể hiện một đề xuất mô phỏng sét đánh trực tiếp vào một điểm bất kì của kết cấu được che chắn, sử dụng máy phát dòng điện sét. Có thể thực hiện các thử nghiệm như thế này nhờ dùng một nguồn dòng điện sét mô phỏng có mức dòng điện nhỏ hơn nhưng thể hiện cùng dạng sóng với phóng điện sét thực tế.

Hình A.13 a - Bố trí thử nghiệm

CHÚ DẪN:

...

...

...

C thường có giá trị vào chục nF

Hình A.13b - Máy phát dòng điện sét

Hình A.13 - Thử nghiệm mức thấp để tính toán trường từ bên trong một kết cấu được che chắn

A.5. Tính toán các điện áp và dòng điện cảm ứng

A.5.1. Quy định chung

Chỉ xét đến các mạch vòng chữ nhật ứng với Hình A.14. Các mạch vòng có hình dạng khác cần được biến đổi về cấu hình chữ nhật có cùng diện tích mạch vòng.

Hình A.14 - Các điện áp và dòng điện cảm ứng trên vòng tạo bởi các đường dây

A.5.2. Tình huống bên trong LPZ 1 trong trường hợp sét đánh trực tiếp

...

...

...

H₁ = k_h x I₀ x w_m/(d_w x ) (A/m)                                                                      (A.21)

Điện áp hở mạch U_OC cho bởi:

                               (A.22)

Giá trị đỉnh U_OC/MAX xuất hiện trong thời gian sườn trước T₁

               (A.23)

trong đó

m_o bằng 4 x p x 10^-7 (V_s)/(Am);

.........................

Điện áp và dòng điện cảm ứng bởi trường từ của các sét tiếp theo (T₁ = 0,25 ms) cho bởi:

...

...

...

          (A.32)

trong đó

l_F/MAX (kA) là giá trị cực đại của dòng điện của cú sét dương đầu tiên;

l_FN/MAX (kA) là giá trị cực đại của dòng điện của cú sét âm đầu tiên;

l_S/MAX (kA) là giá trị cực đại của dòng điện của các sét tiếp theo;

A.5.3. Tình huống bên trong LPZ 1 trong trường hợp sét đánh gần

Cường độ trường từ H₁ bên trong thể tích V_S của LPZ 1 được giả sử là đồng nhất (xem A.4.1.2).

Điện áp hở mạch U_OC cho bởi:

                                         (A.33)

...

...

...

                               (A.34)

trong đó

m_o bằng 4 x p x 10^-7 (Vs)/(Am);

b (m) là độ rộng của mạch vòng;

H₁ (A/m) là cường độ trường từ phụ thuộc thời gian bên trong LPZ 1;

H_1/MAX (A/m) là cường độ trường từ cực đại bên trong LPZ 1;

l (m) là chiều dài của mạch vòng;

T₁ (s) là thời gian sườn trước của cường độ trường từ, giống hệt với thời gian sườn trước của dòng điện sét đánh vào.

Dòng điện ngắn mạch I_SC cho bởi:

...

...

...

trong đó điện trở thuần của dây dẫn được bỏ qua (trường hợp xấu nhất).

Giá trị cực đại l_SC/MAX cho bởi:

I_SC/MAX = m_o x b x I x H_1/MAX / L_S (A)                        (A.36)

trong đó L_S (H) là tự cảm của mạch vòng (để tính L_S xem A.5.2)

Điện áp và dòng điện cảm ứng bởi trường từ H_1/F của sét dương đầu tiên (T₁ = 10 ms) cho bởi:

U_OC/F/MAX = 0,126 x b x i x H_1/F/MAX (V)                    (A.37)

I_SC/F/MAX = 1,26 x 10^-6 x b x I x H_1/F/MAX / L_S (A)        (A.38)

Điện áp và dòng điện cảm ứng bởi trường từ H_1/FN của sét âm đầu tiên (T₁ = 1 ms) cho bởi:

U_OC/FN/MAX = 1,26 x b x I x H_1/FN/MAX (V)                  (A.39)

...

...

...

Điện áp và dòng điện cảm ứng bởi trường từ H_1/S của các sét tiếp theo (T₁ = 0,25 ms) cho bởi:

U_OC/S/MAX = 5,04 x b x I x H_1/S/MAX (V)                     (A.41)

I_SC/S/MAX = 1,26 x 10^-6 x b x I x H_1/S/MAX / L_S (A)        (A.42)

trong đó

H_1/F/MAX (A/m) là giá trị cực đại của cường độ trường từ bên trong LPZ 1 gây ra bởi cú sét dương đầu tiên;

H_1/FN/MAX (A/m) là giá trị cực đại của cường độ trường từ bên trong LPZ 1 gây ra bởi cú sét âm đầu tiên;

H_1/S/MAX (A/m) là giá trị cực đại của cường độ trường từ bên trong LPZ 1 gây ra bởi các cú sét tiếp theo;

A.5.4. Tình huống bên trong LPZ 2 và cao hơn

Cường độ trường từ H_n bên trong LPZ n với n ³ 2 được giả sử là đồng nhất (xem A.4.1.3)

...

...

...

Phụ lục B

(tham khảo)

Lắp đặt SPM cho một kết cấu có sẵn

B.1. Khái quát

Đối với thiết bị bên trong các kết cấu có sẵn thì không phải lúc nào cũng có thể phù hợp với SPM quy định trong tiêu chuẩn này. Phụ lục này nhằm mô tả các điểm chính để cân nhắc và cung cấp các thông tin về các biện pháp bảo vệ tuy không bắt buộc nhưng có thể giúp để tăng cường sự bảo vệ chung đã có.

B.2. Danh mục kiểm tra

Đối với các kết cấu có sẵn thì các biện pháp bảo vệ thích hợp cần phải tính đến kết cấu đã cho, điều kiện của kết cấu và các hệ thống điện và điện tử đã có.

Một bộ các danh mục kiểm tra sẽ tạo điều kiện dễ dàng cho việc phân tích rủi ro và chọn các biện pháp bảo vệ thích hợp nhất.

...

...

...

Nên sử dụng các danh mục kiểm tra cho trong các Bảng B.1 đến B.4 để thu thập các dữ liệu cần thiết về kết cấu có sẵn và kết cấu lắp đặt của nó. Dựa trên những dữ liệu này, cần thực hiện đánh giá rủi ro phù hợp với TCVN 9888-2 (IEC 62305-2) để xác định nhu cầu bảo vệ và xác định các biện pháp bảo vệ hiệu quả nhất về chi phí cần được sử dụng.

CHÚ THÍCH 1: Để biết thêm thông tin về bảo vệ chống lại nhiễu điện từ (EMI) trong các kết cấu lắp đặt, xem TCVN 7447-4-44 (IEC 60364-4-44) ^[1]

Các dữ liệu thu thập nhờ danh mục kiểm tra cũng có ích trong quá trình thiết kế.

Bảng B.1 - Các đặc tính kết cấu và xung quanh

Mục

Câu hỏi ^a

1

Khối xây, gạch, gỗ, bê tông cốt thép, kết cấu khung thép, mặt tiền kim loại?

2

...

...

...

3

Kết cấu phẳng và thấp hay cao tầng? (các kích thước của kết cấu)

4

Cột gia cố cốt thép được nối về điện trong toàn kết cấu?

5

Loại, kiểu và chất lượng của vật liệu kim loại mái?

6

Mặt tiền kim loại có liên kết?

7

...

...

...

8

Cỡ của cửa sổ?

9

Kết cấu đã được trang bị một LPS bên ngoài?

10

Kiểu và chất lượng của LPS này?

11

Vật liệu làm nền (đá, đất)?

12

...

...

...

^a Để biết thông tin chi tiết hãy xem TCVN 9888-2 (IEC 62305-2).

Bảng B.2 - Các đặc tính lắp đặt

Mục

Câu hỏi ^a

1

Kiểu các dịch vụ tới (dưới đất hay trên đầu)?

2

Kiểu trên không (anten hay các thiết bị ngoài trời khác)?

3

...

...

...

4

Đi dây (số lượng và vị trí của các ống cáp)?

5

Dùng ống cáp kim loại?

6

Các thiết bị này tự chứa trong kết cấu?

7

Dây dẫn kim loại tới các kết cấu khác?

^a Để biết thông tin chi tiết hãy xem TCVN 9888-2 (IEC 62305-2).

...

...

...

Mục

Câu hỏi ^{a, b}

1

Kiểu liên kết ngoài của hệ thống (cáp nhiều lõi có hay không có vỏ bọc, cáp đồng trục, cáp sợi quang tương tự và/hoặc số, cân bằng hay không cân bằng)? ^a

2

Cấp chịu đựng của hệ thống điện từ cụ thể? ^{a, b}

^a Để biết thông tin chi tiết hãy xem TCVN 9888-2 (IEC 62305-2).

^b Để biết thông tin chi tiết hãy xem ITU-T K.21^[4], IEC 61000-4-5, IEC 61000-4-9 và IEC 61000-4-10.

Bảng B.4 - Các câu hỏi khác để xem xét về khái niệm bảo vệ

...

...

...

Câu hỏi ^a

1

Cấu hình nối đất nguồn cung cấp - TN (TN-S, TN-C hay TN-C-S), TT hay IT?

2

Vị trí của thiết bị ^a

3

Các liên kết giữa dây dẫn chức năng nối đất của hệ thống bên ngoài với mạng liên kết?

^a Để biết thông tin chi tiết hãy xem Phụ lục A.

B.3. Thiết kế SPM cho một kết cấu có sẵn

...

...

...

Nếu việc phân tích này chỉ ra rằng cần có SPM thì nó cần được thực thi theo các bước nêu ở Hình B.1

Chỉ định các LPZ thích hợp tại tất cả các vị trí có thiết bị cần được bảo vệ (xem 4.3).

Nền của SPM này cần là một mạng liên kết che chắn bên ngoài. Mạng này cần có độ rộng mắt lưới nhỏ hơn 5 m theo mọi hướng. Nếu cách bố trí của kết cấu không cho phép mạng liên kết che chắn này thì ít nhất cần lắp đặt một vòng dây dẫn bên trong tường bao ngoài của kết cấu trên mỗi tầng. Vòng dây dẫn này cần liên kết với các dây dẫn sét tới LPS bên ngoài.

CHÚ THÍCH: Việc bổ sung các biện pháp che chắn vào một toàn nhà có sẵn thường là không thực tế và không kinh tế. Trong trường hợp này việc dùng các SPD cho một lựa chọn hiệu quả.

B.4. Thiết kế các biện pháp bảo vệ cơ bản cho LPZ

B.4.1. Thiết kế các biện pháp bảo vệ cơ bản cho LPZ 1

Các biện pháp bảo vệ cần dựa trên mạng liên kết và che chắn bên trong hay vòng dây dẫn bên trong tường bao ngoài, thường là biên của LPZ 1. Nếu tường bao ngoài không phải là biên của LPZ 1 và không thể dùng một mạng liên kết và che chắn thì một vòng dây dẫn cần được lắp đặt ở biên của LPZ 1.

Vòng dây dẫn này cần phải nối với vòng dây dẫn của tường bao ngoài tại ít nhất hai điểm xa nhau nhất có thể.

B.4.2. Thiết kế các biện pháp bảo vệ cơ bản cho LPZ 2

...

...

...

B.4.3. Thiết kế các biện pháp bảo vệ cơ bản cho LPZ 3

Các biện pháp bảo vệ cần dựa trên mạng liên kết và che chắn bên trong hay vòng dây dẫn bên trong LPZ 2. Nếu không thể dùng một mạng liên kết và che chắn thì một vòng dây dẫn cần được lắp đặt ở biên của các LPZ 3. Nếu một LPZ 3 lớn hơn 5 m x 5 m thì cần chia nhỏ để tạo ra các mắt lưới nhỏ hơn 5 m x 5 m. Vòng dây dẫn này cần phải nối với vòng dây dẫn xung quanh LPZ 2 tại ít nhất hai điểm xa nhau nhất có thể.

B.5. Lắp đặt hệ thống SPD phối hợp

Một hệ thống SPD phối hợp cần được thiết kế để bảo vệ các cáp cắt qua biên của các LPZ khác nhau.

Thiết kế các biện pháp bổ sung sẽ cải thiện rất nhiều việc bảo vệ bằng các hệ thống liên kết và SPD.

Việc thiết kế các khay cáp, thang cáp và những cái giống như vậy cần được cải thiện để làm chúng che chắn thích hợp cho các cáp chạy trong và/hoặc trên chúng.

Nếu có thể, cần cân nhắc các biện pháp bổ sung ví dụ che chắn tường, sàn, trần, v.v., để cung cấp thêm bảo vệ cho bảo vệ đã áp dụng (xem Điều 6).

Thiết kế các biện pháp để tăng cường liên kết giữa kết cấu đang cân nhắc và các kết cấu khác (xem Điều B.11).

Trong trường hợp các hệ thống bên trong mới được lắp đặt vào một kết cấu đã được trang bị các biện pháp bảo vệ thì quy trình thiết kế phải được làm lại cho vị trí của các hệ thống bên trong này.

...

...

...

Hình B.1 - Các bước thiết kế SPM dùng cho một kết cấu có sẵn

B.6. Cải thiện một LPS có sẵn nhờ dùng màn chắn không gian của LPZ 1

Một LPS có sẵn (ứng với TCVN 9888-3 (IEC 62305-3)) xung quanh LPZ 1 có thể được cải thiện nhờ

- Tích hợp mặt tiền và mái kim loại có sẵn vào LPS bên ngoài,

- Sử dụng các cột gia cố kết cấu để nối liên tục về điện tử mái phía trên tới hệ thống đầu tiếp đất,

- Giảm khoảng cách giữa các dây dẫn sét và giảm cỡ mắt lưới của hệ thống đầu thu sét xuống dưới 5 m (thông thường),

- Lắp đặt các dây dẫn kết nối linh hoạt qua các mối nối bù giữa các khối cốt thép kề nhau nhưng tách biệt về mặt kết cấu.

B.7. Thiết lập các LPZ cho các hệ thống điện và điện tử

...

...

...

Hình B.2 thể hiện các cách lắp đặt LPZ thông thường cho việc bảo vệ của các hệ thống bên trong cung cấp các giải pháp thích hợp khác nhau cho các kết cấu có sẵn cụ thể:

Hình B.2a thể hiện việc lắp đặt một LPZ 1 riêng lẻ, tạo ra một thể tích được bảo vệ bên trong kết cấu tổng thể, ví dụ để tăng cường các mức điện áp chịu của các hệ thống bên trong:

- có thể tạo ra LPZ 1 nhờ dùng một LPS theo TCVN 9888-3 (IEC 62305-3), gồm mộ LPS bên ngoài (đầu thu sét, dây dẫn sét và hệ thống đầu tiếp đất) và một LPS bên trong (liên kết đẳng thế sét và phù hợp với các khoảng cách tách biệt).

- LPS bên ngoài bảo vệ LPZ 1 chống sét đánh tới kết cấu nhưng trường từ bên trong LPZ 1 vẫn gần như không bị suy giảm. Điều này là do các đầu thu sét và các dây dẫn sét có độ rộng mắt lưới và khoảng cách thường lớn hơn 5 m, vậy nên tác dụng che chắn không gian là rất nhỏ như đã giải thích ở trên.

- LPS bên trong cần liên kết tất cả các dịch vụ đi vào kết cấu ở biên của LPZ 1, bao gồm cả việc lắp đặt các SPD đối với tất cả các đường dây điện và tín hiệu. Điều này đảm bảo rằng các đột biến truyền trên các dịch vụ tới được giới hạn ở cửa vào nhờ các SPD.

CHÚ THÍCH: Các giao diện cách ly có thể hữu ích bên trong LPZ 1 để tránh các nhiễu tần số thấp.

CHÚ DẪN

E các đường dây điện

...

...

...

Hình B.2 a - LPZ1 không được che chắn sử dụng LPS và các SPD ở lối các đường dây đi vào kết cấu (ví dụ đối với mức chịu điện áp tăng cường của các hệ thống hoặc đối với các mạch vòng nhỏ bên trong kết cấu)

CHÚ DẪN

E các đường dây điện

S các đường dây tín hiệu

Hình B.2b - LPZ 1 không được che chắn với bảo vệ cho các hệ thống mới bên trong bằng cách sử dụng các đường dây tín hiệu được che chắn và các SPD phối hợp trong các đường dây điện

CHÚ DẪN

E các đường dây điện

...

...

...

Hình B.2c - LPZ1 không được che chắn và LPZ 2 được che chắn cỡ lớn cho các hệ thống mới bên trong

CHÚ DẪN

E các đường dây điện

S các đường dây tín hiệu

Hình B.2d - LPZ 1 không được che chắn và hai LPZ 2 cục bộ cho các hệ thống mới bên trong

Hình B.2 - Các khả năng thiết lập LPZ trong các kết cấu có sẵn

Hình B.2b chỉ ra rằng trong một LPZ 1 không được che chắn thì thiết bị mới cũng cần được bảo vệ chống các đột biến dẫn. Ví dụ các đường dây tín hiệu có thể được bảo vệ nhờ dùng các cáp có vỏ bọc và các đường dây điện có thể được bảo vệ nhờ dùng một hệ thống SPD phối hợp. Điều này có thể cần các SPD phụ trợ đã thử nghiệm với l_N và các SPD phụ trợ đã thử nghiệm với một sóng kết hợp, các SPD này được lắp đặt gần thiết bị và phối hợp với các SPD ở cửa vào của các dịch vụ. Nó cũng có thể cần loại “cách điện kép” II phụ trợ của thiết bị.

Hình B.2c thể hiện việc lắp đặt một LPZ 2 tích hợp cỡ lớn bên trong LPZ 1 để thích ứng với các hệ thống mới bên trong. Màn chắn không gian dạng lưới của LPZ 2 làm giảm trường từ sét đáng kể. Ở phía tay trái, các SPD đã được lắp đặt ở biên của LPZ 1 (chuyển tiếp giữa các LPZ 0/1) và sau đó là ở biên của LPZ 2 (chuyển tiếp giữa các LPZ 1/2) cần được phối hợp để phù hợp với IEC 61643-12. Ở phía tay phải, các SPD đã được lắp đặt ở biên của LPZ 1 cần được chọn cho sự chuyển tiếp trực tiếp giữa các LPZ 0/2 (xem C.3.5).

...

...

...

B.8. Bảo vệ sử dụng mạng liên kết

Các hệ thống nối đất tần số lưới đã có có thể không cung cấp một mặt đẳng thế thỏa mãn các dòng điện sét với tần số tới vài MHz, vì trở kháng của chúng có thể quá cao ở những tần số này.

Ngay cả một LPS được thiết kế phù hợp với TCVN 9888-3 (IEC 62305-3) (cho phép độ rộng mắt lưới thường lớn hơn 5 m và chứa cả liên kết đẳng thế sét dưới dạng một phần bắt buộc của LPS bên trong) cũng có thể chưa đủ cho các hệ thống bên trong nhạy. Điều này là do trở kháng của hệ thống liên kết này có thể vẫn quá cao cho ứng dụng này.

Một mạng liên kết trở kháng thấp với độ rộng mắt lưới thường nhỏ hơn hoặc bằng 5 m thường được gợi ý.

Thông thường mạng liên kết không nên dùng làm dây dẫn điện, tín hiệu hay dây trở về. Vậy nên dây dẫn PE nên được tích hợp vào mạng liên kết còn dây dẫn PEN thì không.

Được phép liên kết trực tiếp dây dẫn nối đất chức năng (ví dụ đất sạch riêng cho một hệ thống điện tử) tới một mạng liên kết trở kháng thấp vì trong trường hợp này nhiễu liên kết với các đường dây điện hay tín hiệu sẽ rất thấp. Không cho phép liên kết trực tiếp với dây dẫn PEN hay tới các phần kim loại nào nối với nó để tránh nhiễu tần số lưới trong hệ thống điện tử.

B.9. Bảo vệ bằng thiết bị bảo vệ chống đột biến

Để giới hạn các đột biến truyền tới do sét đánh vào đường dây điện thì nên lắp đặt các SPD ở cửa vào của tất cả các LPZ bên trong (xem Hình B.2 và Hình B.8, số 3).

Trong các tòa nhà có các SPD không phối hợp thì có thể gây ra các hư hại tới hệ thống bên trong nếu một SPD phía dưới hay một SPD bên trong thiết bị ngăn cản sự hoạt động thích hợp của SPD ở lối vào dịch vụ.

...

...

...

B.10. Bảo vệ bằng các giao diện cách ly

Các dòng điện nhiễu tần số lưới chảy qua các thiết bị và các đường dây tín hiệu liên kết với các thiết bị đó có thể gây bởi các mạch vòng lớn hay sự thiếu một mạng liên kết trở kháng đủ thấp. Để chống lại nhiễu này (chủ yếu trong lắp đặt TN-C) thì một sự tách biệt thích hợp giữa các lắp đặt cũ và mới có thể thu được nhờ dùng các giao diện cách ly, ví dụ:

- thiết bị cách ly loại II (tức là cách ly kép không có dây dẫn PE),

- máy biến áp cách ly,

- cáp sợi quang không kim loại,

- bộ ghép quang.

CHÚ THÍCH: Cần cẩn thận rằng các vỏ bọc thiết bị kim loại không được có liên kết điện hóa không mong muốn tới mạng liên kết hay tới các phần kim loại khác, nhưng như vậy nghĩa là chúng được cách ly. Đây là tình huống trong phần lớn các trường hợp vì thiết bị điện tử lắp đặt trong phòng gia đình hay công sở đều được nối tới điểm đất chỉ thông qua các cáp liên kết.

B.11. Các biện pháp bảo vệ bằng cách định tuyến và che chắn đường dây

Việc đi dây và che chắn thích hợp là các biện pháp hiệu quả để giảm sự quá áp cảm ứng. Các biện pháp này đặc biệt quan trọng nếu hiệu quả che chắn không gian của LPZ 1 là rất nhỏ. Trong trường hợp này, các nguyên tắc sau cho sự bảo vệ cải thiện hơn:

...

...

...

- cần tránh việc cấp điện cho thiết bị mới từ đường dẫn chính đã có vì việc này tạo ra một điện tích mạch vòng cảm ứng khép kín lớn, làm tăng đáng kể nguy cơ hư hại. Ngoài ra, việc đi dây điện và tín hiệu kề bên nhau có thể tránh được các mạch vòng lớn (xem Hình B.8, số 8);

- dùng cáp có vỏ bọc - vỏ của các dây tín hiệu cần liên kết ít nhất một trong hai đầu,

- dùng ống cáp kim loại hay các tấm kim loại liên kết - các miếng kim loại riêng biệt cần liên kết tốt về điện với nhau và chiều dài tổng hợp cần liên kết ở một trong hai đầu. Các liên kết cần được thực hiện bằng cách bắt bu lông các phần chờm lên nhau hoặc bằng cách dùng dây dẫn kết nối. Để giữ cho trở kháng của cáp là thấp thì nhiều bu lông hoặc đai cần được phân bố trên chu vi của ống cáp (xem IEC 61000-5-2)^[6].

Các ví dụ đi dây và các kỹ thuật che chắn tốt được cho trên các Hình B.3 và B.4.

CHÚ THÍCH: Khi khoảng cách giữa các dây tín hiệu và các thiết bị điện tử trên các diện tích chung (diện tích này không được thiết kế riêng cho các hệ thống điện tử) là lớn hơn 10 m thì nên sử dụng các dây tín hiệu cân bằng với các cổng cách ly điện hóa thích hợp (ví dụ các bộ ghép quang), các máy biến áp cách ly tín hiệu hay các bộ khuếch đại cách ly. Ngoài ra việc dùng cáp ba trục cũng có lợi.

CHÚ DẪN

1 PE, chỉ khi dùng thiết bị loại I

2 Vỏ bọc cáp tùy chọn cần để liên kết ở hai đầu

...

...

...

4 Diện tích mạch vòng nhỏ

CHÚ THÍCH: Do có diện tích mạch vòng nhỏ nên điện áp cảm ứng giữa vỏ cáp và tấm kim loại là nhỏ.

Hình B.3 - Giảm diện tích mạch vòng nhỏ dùng cáp có vỏ bọc gần với một tấm kim loại

CHÚ DẪN

1 Cố định cáp có hay không có liên kết vỏ cáp với tấm kim loại

2 Ở các biên, trường từ là cao hơn ở giữa tấm kim loại

E Các đường dây điện

S Các đường dây tín hiệu

...

...

...

B.12. Biện pháp bảo vệ các thiết bị lắp đặt bên ngoài

B.12.1. Quy định chung

Các ví dụ các thiết bị lắp đặt bên ngoài gồm: mọi loại cảm biến kể cả anten; các cảm biến khí tượng; camera TV giám sát; các cảm biến tiếp xúc trực tiếp với các quá trình trong nhà máy (áp suất, nhiệt độ, lưu lượng, vị trí van...) và bất kì thiết bị điện, điện tử, vô tuyến nào ở vị trí bên ngoài các kết cấu, các cột trụ, các bình chứa.

B.12.2. Bảo vệ các thiết bị bên ngoài

Bất cứ khi nào có thể, cần đưa các thiết bị này vào vùng bảo vệ LPZ 0_B ví dụ bằng cách dùng một đầu thu sét tại chỗ để bảo vệ nó khỏi bị sét đánh trực tiếp (xem Hình B.5).

Ở các kết cấu cao thì phương pháp quả cầu lăn (xem TCVN 9888-3 (IEC 62305-3)) cần được áp dụng để xác định các thiết bị được lắp đặt ở đỉnh hay cạnh của tòa nhà là có thể bị sét trực tiếp. Nếu có như vậy thì các đầu thu sét phụ trợ cần được dùng. Trong rất nhiều trường hợp thì các lan can, thang, ống... có thể thực hiện một cách đầy đủ nhiệm vụ của một đầu thu sét. Tất cả các thiết bị, trừ một số loại anten, có thể được bảo vệ theo cách này. Các anten thỉnh thoảng phải được đặt ở các vị trí không được bảo vệ để hoạt động của chúng không bị ảnh hưởng xấu bởi các dây dẫn sét gần đó. Một số thiết kế anten bản thân nó có tính tự bảo vệ vì chỉ các phần tử dẫn được nối đất tốt mới lộ ra cho sét. Các anten khác có thể cần có các SPD lắp đặt ở cáp tiếp sóng của chúng để tránh các quá độ quá mức chảy theo cáp xuống tới bộ thu hay bộ chuyển phát. Khi có sẵn một LPS bên ngoài thì bệ đỡ của anten cần được liên kết với nó.

CHÚ DẪN

1 Thanh thu sét

...

...

...

3 Lan can

4 Cốt thép được nối với nhau

5 Đường dây đến từ LPZ 0B cần một SPD ở đầu vào

6 Các đường dây đến từ LPZ 1 (bên trong trụ thép) có thể không cần các SPD ở lối vào

r Bán kính quả cầu lăn

Hình B.5 - Bảo vệ anten và các thiết bị bên ngoài khác

B.12.3. Giảm quá điện áp trong cáp

Các điện áp và dòng điện cảm ứng cao có thể được ngăn chặn bằng cách đi cáp trong các ống dẫn kim loại có liên kết. Tất cả các cáp dẫn tới một thiết bị cụ thể cần rời ống cáp ở một điểm duy nhất. Mỗi khi có thể, nên tận dụng tối đa đặc tính che chắn vốn có của kết cấu bằng cách đi tất cả các cáp cùng nhau trong các thiết bị dạng ống của kết cấu. Khi không thể, như trường hợp bình chứa quá trình, các cáp nên đi ở phía ngoài và gần với kết cấu và sử dụng càng nhiều càng tốt sự che chắn tự nhiên của các ống kim loại, các thang thép có thanh làm bậc và bất kì vật liệu dẫn điện nào đã được liên kết tốt (xem Hình B.6). Ở các cột dùng các phần tử góc hình chữ L thì cáp nên đặt trong góc của chữ L để được bảo vệ tối đa (xem Hình B.7).

...

...

...

1 Bình chứa quá trình

2 Thang có thanh làm bậc

3 Ống

CHÚ THÍCH: A, B, C là các lựa chọn tốt để làm vị trí khay cáp.

Hình B.6 - Tự che chắn nhờ các thang và ống đã được liên kết

CHÚ DẪN

1 Các vị trí lí tưởng cho cáp ở góc của dầm chữ L

2 Các vị trí thay thế cho khay cáp liên kết trong cột

...

...

...

B.13. Tăng cường liên kết giữa các kết cấu

B.13.1. Khái quát

Các đường dây liên kết giữa các kết cấu khác nhau có thể là

- Cách điện (cáp sợi quang không kim loại), hoặc

- Kim loại (ví dụ cặp dây dẫn, cáp nhiều ruột, ống dẫn sóng, cáp đồng trục hay cáp sợi quang có thành phần kim loại liên tục).

Các yêu cầu bảo vệ phụ thuộc vào loại đường dây, số lượng đường dây và hệ thống đầu tiếp đất của kết cấu có được nối với nhau không.

B.13.2. Các dây cách điện

Nếu các cáp sợi quang không kim loại (nghĩa là không có vỏ kim loại, màng chống thấm kim loại và dây đỡ kim loại) được dùng để liên kết các kết cấu riêng biệt thì không cần biện pháp bảo vệ nào cho các cáp này.

B.13.3. Các dây kim loại

...

...

...

- Liên kết yêu cầu, trực tiếp hay qua một SPD, ở lối vào cả hai LPZ 1 sẽ chỉ bảo vệ thiết bị bên trong, trong khi các đường dây bên ngoài vẫn không được bảo vệ.

- Các đường dây này có thể được bảo vệ bằng cách lắp đặt một dây dẫn liên kết bổ sung song song. Dòng điện sét khi đó sẽ được chia sẻ giữa các đường dây và dây dẫn liên kết này;

- Khuyến cáo rằng các dây này nên đi trong các ống cáp kim loại gần và liên kết với nhau. Trong trường hợp này các dây cũng như các thiết bị đều được bảo vệ.

Khi thực hiện kết nối thích hợp giữa các hệ thống đầu tiếp đất của các kết cấu tách rời này thì việc bảo vệ các đường dây bằng các ống dẫn kim loại liên kết với nhau vẫn được khuyến cáo. Trường hợp có nhiều cáp đi giữa các kết cấu được kết nối thì áo giáp của các cáp này (liên kết ở cả hai đầu) có thể được dùng thay cho các ống dẫn cáp.

B.14. Tích hợp các hệ thống mới bên trong vào kết cấu đã có

Khi thêm các hệ thống mới bên trong vào một kết cấu đã có thì hệ thống lắp đặt hiện có có thể hạn chế các biện pháp bảo vệ có thể chọn.

Hình B.8 thể hiện một ví dụ trong đó một sự lắp đặt có trước (thể hiện ở bên trái) được liên kết với sự lắp đặt mới (thể hiện ở bên phải). Sự lắp đặt có trước có các hạn chế lên các biện pháp bảo vệ có thể sử dụng. Tuy nhiên việc thiết kế và quy hoạch hệ thống lắp đặt mới có thể cho phép áp dụng mọi biện pháp bảo vệ cần thiết.

CHÚ DẪN

...

...

...

2 lưới điện mới (TN-S, TN-CS, TT, IT)

3 thiết bị bảo vệ chống đột biến (SPD)

4 cách điện chuẩn cấp I

5 cách điện kép cấp II không có PE

6 máy biến áp cách ly

7 bộ ghép quang hoặc cáp sợi quang

8 tuyến dây điện và dây tín hiệu cạnh nhau

9 ống cáp có vỏ bọc

E đường dây điện

...

...

...